Bezkontaktowe obrazowanie terahercowe półprzewodników (heise.de)

• Wykorzystanie fal terahercowych do analizy nieinwazyjnej
• Obrazowanie in situ aktywnych złączy p-n
• Możliwość penetracji warstw ochronnych obudowy

"Naukowcy opracowali metodę wizualizacji złączy p-n w półprzewodnikach podczas pracy oraz przez obudowę za pomocą spektroskopii terahercowej. Technika ta umożliwia nieniszczącą analizę wewnętrznej dynamiki półprzewodników bez kontaktu fizycznego, choć obecna rozdzielczość jest ograniczona do większych struktur."