Contactloze Terahertz-beeldvorming voor halfgeleiders (heise.de)

• Gebruik van terahertz-golven voor niet-invasieve analyse
• In-situ beeldvorming van actieve p-n-overgangen
• Doordringing van verpakkingslagen

"Onderzoekers hebben een methode ontwikkeld om p-n-overgangen in halfgeleiders tijdens bedrijf en door de behuizing heen zichtbaar te maken met behulp van terahertz-spectroscopie. Deze niet-destructieve techniek maakt analyse van interne dynamiek mogelijk zonder fysiek contact, hoewel de resolutie momenteel beperkt is tot grovere structuren."