Intel setzt High-NA-EUV-Lithografie erstmals produktiv ein (heise.de)

• Intel nutzt High-NA-EUV (Twinscan Exe:5200B) für Panther Lake auf 18A.
• System in Hillsboro, Oregon; dient der Forschung und Optimierung.
• TSMC vermeidet High-NA-EUV aus Kostengründen bis 2029.
• Intel plant verstärkten Einsatz ab 14A-Generation (2027).

"Intel Foundry hat erstmals ein High-NA-EUV-System von ASML in der Produktion eingesetzt. Das Twinscan Exe:5200B belichtet ausgewählte Schichten von Panther-Lake-Prozessoren (Core Ultra 300) im 18A-Prozess. Die Anlage steht in Hillsboro, Oregon. Das System verbessert die Auflösung auf 9 nm. TSMC zögert aus Kostengründen und plant, bis mindestens 2029 auf Low-NA-EUV zu setzen. Intel bereitet den breiteren Einsatz für die 14A-Generation ab 2027 vor."