Intel utilise pour la première fois la lithographie High-NA EUV en production (heise.de)

• Intel utilise le High-NA EUV pour Panther Lake sur 18A.
• Système à Hillsboro, Oregon ; utilisé pour la recherche et l'optimisation.
• TSMC évite le High-NA EUV pour raison de coût, prévoit Low-NA jusqu'en 2029.
• Intel prévoit un déploiement plus large pour le nœud 14A en 2027.

"Intel Foundry a déployé un système de lithographie High-NA EUV d'ASML (Twinscan Exe:5200B) pour la production de couches sélectionnées de processeurs Panther Lake (Core Ultra 300) sur le nœud 18A. Le système, situé à Hillsboro, Oregon, améliore la résolution à 9 nm. TSMC retarde l'adoption en raison du coût (≈350 millions € par système) et prévoit d'utiliser Low-NA EUV jusqu'à au moins 2029. Intel étendra l'utilisation du High-NA EUV avec le nœud 14A prévu pour 2027."