Intel utiliza por primera vez litografía High-NA EUV en producción (heise.de)

• Intel usa High-NA EUV para Panther Lake en 18A.
• Sistema en Hillsboro, Oregón; usado para investigación y optimización.
• TSMC evita High-NA EUV por costo, planea Low-NA hasta 2029.
• Intel planea despliegue más amplio para nodo 14A en 2027.

"Intel Foundry ha puesto en funcionamiento un sistema de litografía High-NA EUV de ASML (Twinscan Exe:5200B) para la producción de capas seleccionadas de procesadores Panther Lake (Core Ultra 300) con el proceso 18A. El sistema, ubicado en Hillsboro, Oregón, mejora la resolución a 9 nm. TSMC retrasa la adopción por costos (≈350 millones € por sistema) y planea usar Low-NA EUV hasta al menos 2029. Intel ampliará el uso de High-NA EUV con el nodo 14A previsto para 2027."