Intel gebruikt High-NA EUV-lithografie voor het eerst in productie (heise.de)

• Intel gebruikt High-NA EUV voor Panther Lake op 18A.
• Systeem in Hillsboro, Oregon; gebruikt voor onderzoek en optimalisatie.
• TSMC vermijdt High-NA EUV vanwege kosten, plant Low-NA tot 2029.
• Intel plant bredere inzet voor 14A-knooppunt in 2027.

"Intel Foundry heeft voor het eerst een High-NA EUV-lithografiesysteem van ASML (Twinscan Exe:5200B) ingezet voor de productie van geselecteerde lagen van Panther Lake (Core Ultra 300)-processors op het 18A-proces. Het systeem staat in Hillsboro, Oregon en verbetert de resolutie naar 9 nm. TSMC stelt adoptie uit vanwege kosten (≈€350M per systeem) en is van plan Low-NA EUV te gebruiken tot minstens 2029. Intel breidt het gebruik van High-NA EUV uit met het 14A-knooppunt dat in 2027 wordt verwacht."